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紅外光電開關(guān)傳感器的發(fā)展介紹
 
更新時間:2014.12.19 瀏覽次數(shù):
 

  目前,紅外光電開關(guān)傳感器件種類非常多,所使用的紅外光電開關(guān)傳感器主要按照工作原理進(jìn)行劃分,可以分成是熱電型紅外光電開關(guān)傳感器和光電型紅外光電開關(guān)傳感器。

  1822年,賽貝克發(fā)現(xiàn)金屬的溫差電效應(yīng),不久人們就用來制成熱電偶和熱電堆探測紅外。它性能穩(wěn)定、測量重復(fù)性好,在其后數(shù)十年發(fā)揮了巨大作用,至今仍有作用。1880年,朗利紅引起的金屬絲電阻率變化來度量輻射強(qiáng)度,并把它稱做測輻射熱計(jì)。這方法后被棄且,但這個名詞存活下來。類似器件后來不斷出現(xiàn)。一種是用金屬氧化物、陶瓷等材料制成的熱敏電阻,工藝簡單,價(jià)格低廉,但探測率低;再就是高萊管,是一種精致的氣動紅外探測器,非常靈敏,但結(jié)構(gòu)嬌弱;20世紀(jì)中發(fā)展的熱釋電器件,其物理基礎(chǔ)是硫酸三甘氨酸TGS等鐵電體的自發(fā)極化,在交變的紅外輻照下,熱敏元極化電荷變化并引起電容改變,將信號輸出。熱釋電器件室溫工作并兼顧了較高的探測率和響應(yīng)速度,使用很廣。

  上述幾種統(tǒng)屬熱電型紅外探測器,另一大類稱做光電型紅外探測器。光子器件的成功使用可追溯20世紀(jì)第一和二次世界大戰(zhàn)。德國首先制成硫化鉈光電導(dǎo)紅外探測器并很好解決了工藝穩(wěn)定問題,在此基礎(chǔ)上又研制出重要的硫化鉛、硒化鉛等薄膜型器件。正是有了這些器件,德國才制造出紅外測距、紅外夜視等多種紅外儀器,并立即投入戰(zhàn)爭使用。戰(zhàn)后的冷戰(zhàn)時期,由于軍事需要和半導(dǎo)體的崛起,品種繁多的光子型紅外器件如雨后春筍,性能也是提高到前所未有的水平。這類器件器主要用鍺、硅、銻化甸、碲鎘汞等半導(dǎo)體材料制作 。從結(jié)構(gòu)上看,一種是利用均勻材料的各種體效應(yīng),如光電導(dǎo)探測器、掃積型探測器、光磁電探測器等;還有一種,可稱作結(jié)型器件,最典型的是半導(dǎo)體PN結(jié)探測器和金屬半導(dǎo)體結(jié)探測器,其物理基礎(chǔ)是結(jié)的光生伏特效應(yīng)。光電導(dǎo)探測器和光伏探測器是當(dāng)代最重要、使用最多的兩種紅外器件。前者制造工藝簡單,但制各大規(guī)模陳列有樓市春晚 后者性能高,其結(jié)構(gòu)適于制備領(lǐng)料平面陳列。半導(dǎo)體光吸收可能把價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶,即發(fā)生本征躍遷,產(chǎn)生自由電子、空穴對,引發(fā)光電導(dǎo);也可能把施主或受主雜質(zhì)能級上的電子或空穴激發(fā)到導(dǎo)帶,即發(fā)生非本征躍遷,產(chǎn)生自由的電子,引發(fā)光電導(dǎo)。因而光電導(dǎo)型紅外探測器又分本征和非本征兩種。前者的長波限取決于晶體禁帶寬度,后者長波限取決于雜質(zhì)電離能。非本征光電導(dǎo)是多數(shù)載流子行為,為了壓低噪 聲,提高響應(yīng)率,必須降低載流子濃度,因而非本征型的工作溫度要遠(yuǎn)低于同一波段的本征型。還有,非本征光吸收系數(shù)較小,為了增強(qiáng)光吸收,一是要提高雜質(zhì)濃度,這導(dǎo)致遷移率降低、器件性能變壞而不可取;另一途徑是加厚敏感元,又給多元工藝帶來困難,這些都是非本征型光導(dǎo)器件的缺點(diǎn)。

  硫化鉛、硒化鉛、砷化甸、銻化甸等都是曾是或仍是重要的本征光電導(dǎo)型紅外探測器。但除銻化甸工作在3-5um的大氣窗口外,大都只能工作在1-2um的大氣窗口。長時間里,波長更長的中、紅外探測不得不使用熱敏型器件或非本征光電導(dǎo)器件,所以用摻入金、銅、鎵等雜質(zhì)的鍺、硅非本征光導(dǎo)器件曾盛行一時。鍺摻汞器件恰好工作在8-14um大氣窗口,冷 戰(zhàn)期間用于偵察機(jī)上的紅外攝像,起了重要作用。但這種器件工作在30k,需配置笨重的制冷機(jī),使用非常不便,所以科學(xué)家們長期尋求適于較長波段的本征型紅外探測材料。

  1959年英國皇家雷達(dá)研究所勞森等首次報(bào)道了半導(dǎo)體碲鎘碲鎘汞本征載流子濃度低,電子遷移率高,非平衡少數(shù)載流子壽命長,介電常數(shù)小,幾乎各種基本物理性質(zhì)都適宜于紅外探測。并且碲鎘汞氧化物化學(xué)穩(wěn)定,表面態(tài)密度低,利于制備MIS結(jié)構(gòu);碲鎘汞的熱膨脹系數(shù)接近硅,易于硅讀出電路互聯(lián)。又因?yàn)轫阪k汞實(shí)際上是正常半導(dǎo)體碲化鎘和半金屬碲化汞的固溶體,可以通過調(diào)節(jié)汞和鎘兩種組分的比例連續(xù)改變禁帶寬度,所以可制備不同波段的紅外探測器。碲鎘汞器件歷經(jīng)40年艱難研究,達(dá)到了任何其他器件難以匹敵的水平,在導(dǎo)彈預(yù)警等重要軍事應(yīng)用中,沒有其他器件能夠替代它的作用。

  碲鎘汞的問題在材料。由于相圖中固一液相線分離及汞一碲化學(xué)鏈過弱等固有原因,很難生長出組分均、結(jié)構(gòu)完整的大面積單晶體。在遍用布里奇曼法、再結(jié)晶法、碲溶劑法等制備體材料后,人們轉(zhuǎn)向用分子束外延法、液相外延法、金屬有機(jī)化學(xué)汽相外延制備薄膜材料,以滿足不斷發(fā)展的器件需求。即使如此,材料成品率仍難以大幅度提升,使得器件價(jià)格居高不下。專家們一面設(shè)法解決碲 鎘汞的問題,一面繼續(xù)探索,期望找到具有碲 鎘汞的優(yōu)越性而沒有其缺點(diǎn)的探測材料,并已為此研制了一系列三元系、四元系半導(dǎo)體材料及稀釋磁性半導(dǎo)體材料,可異無一堪負(fù)重任。但人們在另外的方向上尋到了光明,研制成功半導(dǎo)體量子阱紅外探測器件。

  多量子阱、超晶格是由一系列異質(zhì)結(jié)組成的一維周期性人造微結(jié)構(gòu)。用分子束外延法可以交替生長兩種半導(dǎo)體晶體薄層材料,若兩者禁帶寬度不同,相鄰異質(zhì)結(jié)之間的能帶依次分別形成勢壘一勢阱一勢壘一勢阱的結(jié)構(gòu)。平衡時,電子和空穴都被局限在各自阱內(nèi)。璧如,由砷化鎵和鋁鎵砷組成的超晶格,電子勢阱與空穴勢 阱在同一砷化鎵薄層,電子勢 壘與空穴的勢壘在相鄰的鋁鎵砷薄層,這是I類超晶格;此外還有其他復(fù)雜情況,電子勢阱與空穴勢阱分別處于相鄰兩薄層中,謂之II類超晶格;III類是超晶格、量子阱中的電子運(yùn)動,在薄層平面內(nèi)仍是自由的,但在垂直薄層方向上由于受到附加周期勢的作用,其能量量子化,只取一系列分立值,稱作子能級。這是多量子阱的情況。對超晶格來說,勢壘寬度與電子德布羅意波長可以相比擬,相鄰阱的電子波函數(shù)能展到鄰近勢阱并相互疊加,子能級便展寬成微帶。電子可以吸收光子從價(jià)帶的某一子能級躍遷到導(dǎo)帶的某一子能級,但這類躍遷不適于制備紅外探測器,因?yàn)樾枰獡?入施主、受主兩種雜質(zhì),而窄禁帶量子阱超晶格又難以生長,F(xiàn)在紅外探測器依據(jù)的是另一類躍遷,即發(fā)生在同一個能帶導(dǎo)帶或價(jià)帶中的子能級之間或微帶之間的光吸收躍遷。相鄰子能級或微帶間的能量差與勢阱寬度有關(guān),勢阱越窄,間距越大。所以人們選擇晶體材料后,還可以設(shè)計(jì)與控制勢阱和勢壘的寬度,以使基態(tài)與激發(fā)態(tài)的能量間隔相當(dāng)于所要求的某一波段,或設(shè)計(jì)成阱中僅有基態(tài)子能級,并使連續(xù)態(tài)的能量間距相當(dāng)于某一波段,這兩種情況都可以產(chǎn)生光電導(dǎo)效應(yīng)?梢钥吹,在這里人們可以調(diào)控的參數(shù)比用單晶體多了,選擇的靈活性大了。現(xiàn)在多量子阱器件已相當(dāng)成熟,它的最大缺點(diǎn)是量子效率低,其性能難以達(dá)到碲鎘汞的水平,但材料適于大規(guī)模陳列器件的制備,所以應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒕陀兴幌亍3Ц、量子阱是人們有意識地在一維方向上把異質(zhì)結(jié)構(gòu)制做到納米驚訝。若在兩維方向上達(dá)到納米驚訝,稱作量子線;在三維方向同時達(dá)到這種驚訝,叫做量子點(diǎn)。這些人造微結(jié)構(gòu)的光電性質(zhì)正被深入研究,其潛在應(yīng)用坐也將被發(fā)掘出來。還有人把熱電偶做到納米驚訝,不僅提高了響應(yīng)速率,溫差電系數(shù)也明顯增大,這一現(xiàn)象提示我們,其他納米材料和內(nèi)米結(jié)構(gòu)同樣應(yīng)予關(guān)注。

  當(dāng)全面考察紅外探測器件發(fā)展時,我們看到它表現(xiàn)出從單元到多元、從單色到多色、從線列到面陳的明顯趨勢。這些改進(jìn)提高了輸出信噪比,展寬了探測功能、簡化了成像系統(tǒng)。其中,將光電換元件與讀出電路并合而構(gòu)成紅外領(lǐng)料平面陳列器件可以說是紅外探測發(fā)展中的一次革命。我們知道,硅電荷耦合器件CCD是集光電化與信號讀出于一體的典型,但它工作在可見光區(qū),冷卻到液氮溫度才延展到近紅外?上в捎诓牧蠁栴},用銻化甸、碲鎘汞制成與似的單片結(jié)構(gòu)太困難了,現(xiàn)實(shí)的工藝線路是分開制作光電換元件和電路,再用甸柱將兩者連成一體,即所謂 混成。光敏元的行與列為1024-1024的銻化年,前者工作在3-5um的大氣窗口,后者主要工作在8-14um大氣窗口,也有用于3-5um波段的。640*486的GAAS/A1GAAS多量子阱長波領(lǐng)料平面及8-9um于14-15um波段的雙色量子阱領(lǐng)料平面具已研制出來,并被送入空間進(jìn)行試驗(yàn)。這些器件性能哩高,但都在深低溫下工作,為便于一般應(yīng)用,人們正在積極發(fā)展硅一氧化釩微測輻射熱計(jì)和鐵電等非制冷型領(lǐng)料平面器件。這類器件是熱敏型,選擇的材料須在近室溫有較大的電阻溫度系數(shù)或熱釋電系數(shù),結(jié)構(gòu)上運(yùn)用半導(dǎo)體平面工藝做成橋式,即把熱敏面架空或填充以絕熱物質(zhì)以減小熱容和熱導(dǎo),提高探測率和響應(yīng)速率。還有人嘗試著用集成光學(xué)技術(shù)把紅外信號、紅外圖像直接轉(zhuǎn)換為可見光信號、可見光圖像,也是很有意義的工作。近些年,專家們從生物學(xué)眼一腦系統(tǒng)研究成果受到啟發(fā),又在探索神經(jīng)形態(tài)靈巧式焦平面列陳、類視網(wǎng)膜焦平面列陳以及三維人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等?梢韵胍姡乱淮t外器件的成功將使紅外技術(shù)發(fā)生更加巨大的變化。

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