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各向異性磁阻AMR光電開關(guān)傳感器是一種可敏感磁場(chǎng) 范圍的磁微傳感器。AMR微型傳感器可敏感靜磁場(chǎng)的強(qiáng)度及方向。這種微傳感器的制作 一般是在硅基底上沉積坡莫合金薄膜，然后再記得蝕成電阻條開關(guān)。在外磁場(chǎng)作用下，AMR薄膜的磁阻特性使電阻改變2%-3% 坡莫合金的磁阻效應(yīng)當(dāng)不存在外界磁場(chǎng)時(shí)，坡莫合金的內(nèi)部磁極化強(qiáng)度與電流流動(dòng)方向平行。如果外界磁場(chǎng)H與坡莫合鑫平面平行，但垂直于電流流動(dòng)方向，則坡莫合金內(nèi)部磁極化強(qiáng)度的方向?qū)a(chǎn)生角度為A的育齡婦女。因此，坡莫合金的電阻值將會(huì)往前變，即R=RO+ROCOS2A。顯然，由于二次基的存在，電阻與磁場(chǎng)強(qiáng)度之間的關(guān)系為非線性，且電阻值與磁場(chǎng)強(qiáng)度值之間也不是一一對(duì)應(yīng)關(guān)系。 |
當(dāng)前位置：
